Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

RF6G035BGTCR

Name: ROHM Semiconductor RF6G035BGTCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RF6G035BGTCR
Price: 2.52 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

755-RF6G035BGTCR

Nr prod.:

RF6G035BGTCR

Produc.:

ROHM Semiconductor

Opis:

MOSFETs SOT363 N-CH 40V 3.5A

Karta charakterystyki:

RF6G035BGTCR Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o ROHM Semiconductor RF6G035BGTCR

Na stanie magazynowym: 2 739

Stany magazynowe:: 2 739 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 16 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	2,52 zł	2,52 zł
	1,52 zł	15,20 zł
	0,972 zł	97,20 zł
	0,753 zł	376,50 zł
	0,675 zł	675,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	0,525 zł	1 575,00 zł
	0,49 zł	2 940,00 zł
	0,447 zł	4 023,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	ROHM Semiconductor
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	SOT-363T-6
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	40 V
Id – Ciągły prąd drenu:	3.5 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	46 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2.5 V
Qg – ładunek bramki:	3.5 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	1 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	ROHM Semiconductor
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	2.7 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	4.4 ns
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	11 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	5 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

RF6G035BGTCR Karta charakterystyki

Specification Sheets

Datasheet - Chinese (English language)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

RF6G035BG Power MOSFET

ROHM Semiconductor RF6G035BG Power MOSFET features 40V drain-source voltage (V_DSS) and ±3.5A continuous drain current (I_D). This N-channel MOSFET offers 46mΩ low on-resistance (R_DS(on)) and power dissipation of 1W (P_D). The RF6G035BG MOSFET operates within the -55°C to 150°C operating junction and storage temperature range and is available in a Halogen-free, small surface mount package (TUMT6 or SOT-363T). This RoHS-compliant device incorporates Pb-free plating. The RF6G035BG power MOSFET is suitable for switching, motor drives, and DC/DC converter applications.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.