Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

NTMFSS0D9N03P8

Name: onsemi NTMFSS0D9N03P8
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFSS0D9N03P8
Price: 10.28 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-NTMFSS0D9N03P8

Nr prod.:

NTMFSS0D9N03P8

Produc.:

onsemi

Opis:

MOSFETs 30V PT8 IN 5X6 SOURCE DOWN PACKAGE

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

NTMFSS0D9N03P8 Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi NTMFSS0D9N03P8

Na stanie magazynowym: 2 888

Stany magazynowe:: 2 888 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 27 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	10,28 zł	10,28 zł
	6,67 zł	66,70 zł
	4,77 zł	477,00 zł
	3,99 zł	1 995,00 zł
	3,44 zł	3 440,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	3,44 zł	10 320,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	TDFN-9
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	30 V
Id – Ciągły prąd drenu:	294 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	1 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	3 V
Qg – ładunek bramki:	127 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	125 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	onsemi
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	PH
Czas zanikania:	49.5 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	19.3 ns
Seria:	NTMFSS0D9N03P8
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	125.4 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	20.4 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

NTMFSS0D9N03P8 Karta charakterystyki

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NTMFSS0D9N03P8 N-Channel MOSFET

onsemi NTMFSS0D9N03P8 N-Channel MOSFET is a single source-down MOSFET that features low R_DS(on) to minimize conduction losses and low Q_G and capacitance to minimize driver losses. This N-channel MOSFET operates at 30V drain-to-source voltage (V_DS), ±20V gate-to-source voltage (V_GS), and 294A drain current. The NTMFSS0D9N03P8 MOSFET is offered in a 5mm x 6mm package with source down and center gate design to improve power density, efficiency, and thermal performance. This N-channel MOSFET is Pb-free, halogen-free / BFR-free, and RoHS-compliant. The NTMFSS0D9N03P8 MOSFET is ideal for ORing, motor drives, power load switches, and DC/DC.