BCP53M PNP Medium Power Transistor

onsemi BCP53M PNP Medium Power Transistor is an 80V, 1A device designed for general-purpose amplifier applications. This transistor is housed in a wettable flank DFN2020-3 package for optimal Automated Optical Inspection (AOI) and has superior thermal performance. The BCP53M medium power transistor operates at -65°C to 150°C junction and storage temperature range. This PNP transistor is AEC-Q101 qualified, PPAP capable, Pb-free, halogen-free/BFR free, and RoHS compliant. The BCP53M medium power transistor is ideal for general-purpose switching and amplification and automotive ECUs.

Wyniki: 6
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Konfiguracja
Maksymalny prąd DC kolektora
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO
Napięcie kolektor-baza VCBO
Napięcie emiter–baza VEBO
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
Pd – strata mocy
Wzmacniacze GBP fT
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Seria
Opakowanie
onsemi Bipolar Transistors - BJT 80V, 1A, PNP, WDFNW3 2X2
Karta charakterystyki
202Na stanie magazynowym
6 000Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

BCP53M Reel, Cut Tape
onsemi Bipolar Transistors - BJT 80V, 1A, PNP, WDFNW3 2X2
Karta charakterystyki
2 999Na stanie magazynowym
3 000Oczekiwane: 03.07.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT WDFNW-3 PNP Single 2 A 80 V 100 V 6 V 500 mV 1.5 W 130 MHz - 65 C + 150 C BCP53M Reel, Cut Tape
onsemi Bipolar Transistors - BJT 80V, 1A, PNP, WDFNW3 2X2
Karta charakterystyki
3 300Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT WDFNW-3 PNP Single 2 A 80 V 100 V 6 V 500 mV 1.5 W 130 MHz - 65 C + 150 C BCP53M Reel, Cut Tape
onsemi Bipolar Transistors - BJT 80V, 1A, PNP, WDFNW3 2X2
Karta charakterystyki
2 955Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT WDFNW-3 PNP Single 2 A 80 V 100 V 6 V 500 mV 1.5 W 130 MHz - 65 C + 150 C BCP53M Reel, Cut Tape
onsemi Bipolar Transistors - BJT 80V, 1A, PNP, WDFNW3 2X2
Karta charakterystyki
12 000Oczekiwane: 15.05.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT WDFNW-3 PNP Single 2 A 80 V 100 V 6 V 500 mV 1.5 W 130 MHz - 65 C + 150 C BCP53M Reel, Cut Tape
onsemi Bipolar Transistors - BJT 80V, 1A, PNP, WDFNW3 2X2
Karta charakterystyki
6 000Oczekiwane: 08.05.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT WDFNW-3 PNP Single 2 A 80 V 100 V 6 V 500 mV 1.5 W 130 MHz - 65 C + 150 C BCP53M Reel, Cut Tape