950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFETs

Infineon Technologies 950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFETs offer super junction (SJ) technologies. The SJ technology is ideal for lighting and industrial SMPS applications by incorporating best-in-class performance with state-of-the-art ease of use. The PFDJ provides an integrated ultra-fast body diode allowing usage in resonant topologies with the lowest reverse recovery charge (Qrr).

Wyniki: 10
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Opakowanie
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
945Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 950 V 74.7 A 60 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 315 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IPB95R130PFD7ATMA1
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
945Na stanie magazynowym
1 000Oczekiwane: 19.11.2026
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 950 V 36.5 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 141 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
Karta charakterystyki
1 965Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 950 V 17.5 A 310 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 61 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
Karta charakterystyki
1 914Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 950 V 13.3 A 450 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape


Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
Karta charakterystyki
3 358Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 950 V 17.5 A 310 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 61 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
374Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 950 V 13.9 A 130 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 141 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
318Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 950 V 36.5 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 141 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
Karta charakterystyki
429Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 950 V 8.7 A 310 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 61 nC - 55 C + 155 C 31 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
Karta charakterystyki
747Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 950 V 7.2 A 450 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
Karta charakterystyki
831Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 950 V 13.3 A 450 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape