NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

Wyniki: 178
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Nazwa handlowa Opakowanie
Texas Instruments MOSFETs 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18511KTT Czas realizacji 12 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 50

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 194 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments MOSFETs 80-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD19505KTT Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 6 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 50

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 80 V 200 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 76 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments MOSFETs 20V Dual N ch MOSFET A 595-CSD85302L A 595-CSD85302L Czas realizacji 6 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 250

Si SMD/SMT PICOSTAR-4 N-Channel 2 Channel 20 V 7 A 24 mOhms - 10 V, 10 V 680 mV 6 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel