CMPA5259080S

MACOM
941-CMPA5259080S
CMPA5259080S

Produc.:

Opis:
RF Amplifier MMIC, GaN HEMT, QFN, G40V4, 5.2-5.9GHz,

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.
Produkt ten może wymagać dodatkowej dokumentacji przy eksporcie ze Stanów Zjednoczonych.

Na stanie magazynowym: 25

Stany magazynowe:
25 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
26 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 10)
Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™
4 887,62 zł 4 887,62 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 10)
4 887,62 zł 48 876,20 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne.

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
MACOM
Kategoria produktów: Wzmacniacz RF
Ograniczenia dotyczące wysyłki
 Produkt ten może wymagać dodatkowej dokumentacji przy eksporcie ze Stanów Zjednoczonych.
RoHS:  
5 GHz to 5.9 GHz
21.4 dB
SMD/SMT
QFN-48
GaN
+ 225 C
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: MACOM
Kraj montażu: Not Available
Kraj wytworzenia: Not Available
Kraj pochodzenia: US
Wrażliwość na wilgoć: Yes
Rodzaj produktu: RF Amplifier
Wielkość opakowania producenta: 10
Podkategoria: Wireless & RF Integrated Circuits
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8542330000
CAHTS:
8542330000
USHTS:
8542330001
MXHTS:
8542330299
ECCN:
3A001.b.2.a.4

CMPA5259080S GaN MMIC Power Amplifier

MACOM CMPA5259080S GaN MMIC Power Amplifier contains a two-stage reactively matched amplifier design approach for high power and power-added efficiency. The CMPA5259080S features 29dB small-signal gain, 110W typical PSAT, and an operation up to 40V. The CMPA5259080S gallium nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT) based monolithic microwave integrated circuit (MMIC) is available in a 7mm x 7mm surface mount (QFN package). It is ideal for civil and military pulsed radar amplifier applications.