FOD8802 OptoHiT™ Phototransistor Optocouplers

onsemi FOD8802 OptoHiT™ Phototransistor Optocouplers utilize onsemi's leading-edge proprietary process technology. This achieves a high operating temperature performance of up to 125°C. The optocouplers consist of two aluminum gallium arsenide (AlGaAs) infrared light-emitting diodes optically coupled to two phototransistors. They are housed in a small outline, 8-pin SOIC package. The devices deliver a consistent current transfer ratio at a very low input current over temperature.

Wyniki: 3
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania
Liczba kanałów
Napięcie izolacji
Rodzaj wyjścia
Współczynnik wzmocnienia prądowego – min.
Współczynnik wzmocnienia prądowego – max.
If – prąd przewodzenia diody
Vf – Napięcie przewodzenia
Maksymalne napięcie kolektor–emiter
Maksymalny prąd kolektora
Maksymalne napięcie nasycenia kolektor–emiter
Czas narastania
Czas zanikania
Vr – napięcie wsteczne
Pd – strata mocy
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Seria
Opakowanie
onsemi FOD8802DR2
onsemi Transistor Output Optocouplers 8SO 2-CH TR
Karta charakterystyki
3 892Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 500

SMD/SMT 2 Channel 2500 Vrms NPN Phototransistor 70 % 380 % 50 mA 1.8 V 75 V 30 mA 400 mV 6 us 7 us 6 V 150 mW - 40 C + 110 C FOD8802A Reel, Cut Tape
onsemi FOD8802C
onsemi Transistor Output Optocouplers 8SO 2-CH TR
Karta charakterystyki
2 226Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SMD/SMT 2 Channel 2500 Vrms NPN Phototransistor 140 % 380 % 50 mA 1.8 V 75 V 30 mA 400 mV 6 us 7 us 6 V 150 mW - 40 C + 110 C FOD8802A Tube
onsemi FOD8802A
onsemi Transistor Output Optocouplers 8SO 2-CH TR
Karta charakterystyki
2 749Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SMD/SMT 2 Channel 2500 Vrms NPN Phototransistor 65 % 150 % 50 mA 1.8 V 75 V 30 mA 400 mV 6 us 7 us 6 V 150 mW - 40 C + 110 C FOD8802A Tube