Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

STGWA30M65DF2AG

Name: STMicroelectronics STGWA30M65DF2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWA30M65DF2AG
Price: 15.78 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

511-STGWA30M65DF2AG

Nr prod.:

STGWA30M65DF2AG

Produc.:

STMicroelectronics

Opis:

IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT

Dokończ swój projekt

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

STGWA30M65DF2AG Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o STMicroelectronics STGWA30M65DF2AG

Na stanie magazynowym: 766

Stany magazynowe:: 766 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 14 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	15,78 zł	15,78 zł
	10,36 zł	103,60 zł
	7,74 zł	928,80 zł
	6,88 zł	3 508,80 zł
	5,89 zł	6 007,80 zł
	5,55 zł	13 986,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	STMicroelectronics
Kategoria produktów:	Tranzystory IGBT
RoHS:
Technologia:	Si
Opakowanie/obudowa:	TO-247-3
Styl mocowania:	Through Hole
Konfiguracja:	Single
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO:	650 V
Napięcie nasycenia kolektor-emiter :	2.02 V
Maksymalne napięcie bramka–emiter :	20 V
Ciągły prąd kolektora przy 25°C:	87 A
Pd – strata mocy:	441 W
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Kwalifikacje:	AEC-Q101
Opakowanie:	Tube
Marka:	STMicroelectronics
Ciągły prąd kolektora – Ic max.:	57 A
Prąd upływowy bramka–emiter:	250 nA
Rodzaj produktu:	IGBTs
Wielkość opakowania producenta:	30
Podkategoria:	Transistors
Jednostka masy:	6,100 g

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

STGWA30M65DF2AG Karta charakterystyki (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

STGWA30M65DF2AG Automotive-Grade IGBT

STMicroelectronics STGWA30M65DF2AG Automotive-Grade IGBT is designed using an advanced proprietary trench gate field stop structure. The STMicroelectronics STGWA30M65DF2AG offers an optimal system performance and efficiency balance for inverters, with low-loss and essential short-circuit functionality. The device is AEC-Q101 qualified and features a maximum junction temperature of +175°C, a 6μs short circuit withstand time, low V_CE(sat) of 1.7V at 30A, and tight parameter distribution. The device also includes a soft, fast-recovery antiparallel diode and low thermal resistance and is available in a TO-247 long leads package.