Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

UF3N170400B7S

Name: onsemi UF3N170400B7S
Brand: onsemi
SKU: 431-UF3N170400B7S
Price: 39.73 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

431-UF3N170400B7S

Nr prod.:

UF3N170400B7S

Produc.:

onsemi

Opis:

JFETs 1700V/400MOSICJFETG3T

Karta charakterystyki:

UF3N170400B7S Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi UF3N170400B7S

Na stanie magazynowym: 1 060

Stany magazynowe:: 1 060 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 26 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 800)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	39,73 zł	39,73 zł
	27,52 zł	275,20 zł
	22,92 zł	2 292,00 zł
	22,32 zł	11 160,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 800)
	21,41 zł	17 128,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Tranzystory JFET
RoHS:
Technologia:	SiC
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	D2PAK-7
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Konfiguracja:	Single
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	1.7 kV
Vgs – Napięcie przebicia bramka–źródło:	3 V, 20 V
Prąd dren–źródło przy Vgs=0:	2.2 uA
Id – Ciągły prąd drenu:	6.8 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	400 mOhms
Pd – strata mocy:	68 W
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Seria:	UF3N
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	onsemi
Wrażliwość na wilgoć:	Yes
Rodzaj produktu:	JFETs
Wielkość opakowania producenta:	800
Podkategoria:	Transistors
Nazwa handlowa:	SiC JFET
Jednostka masy:	13,633 g

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

UF3N170400B7S Karta charakterystyki

Models

Spice (Kompresowanie Zip)

PCN

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

UF3N 1700V-400mW SiC Normally On JFET

onsemi UF3N 1700V-400mW SiC Normally On JFET exhibits ultra-low on-resistance (R_DS(ON)) and gate charge (Q_G) that allows low conduction and switching loss. The low R_DS(ON) value of this JFET at V_GS = 0V is ideal for current protection circuits without the need for active control and for cascode operation. The UF3N offers a low gate charge and low intrinsic capacitance. This SiC FET from onsemi operates in a -55°C to +175°C temperature range and is available in a D²PAK-7L package that is RoHS compliant, halogen-free, and lead-free. Typical applications include overcurrent protection circuits, DC-AC inverters, switch-mode power supplies, power factor correction modules, motor drives, and induction heating.