Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

SIZF906BDT-T1-GE3

Name: Vishay SIZF906BDT-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIZF906BDT-T1-GE3
Price: 10.19 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

78-SIZF906BDT-T1-GE3

Nr prod.:

SIZF906BDT-T1-GE3

Produc.:

Vishay / Siliconix

Opis:

MOSFETs PPAIR6X5 2NCH 30V 36A

Karta charakterystyki:

SIZF906BDT-T1-GE3 Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Vishay / Siliconix SIZF906BDT-T1-GE3

Na stanie magazynowym: 10 744

Stany magazynowe:: 10 744 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	10,19 zł	10,19 zł
	6,62 zł	66,20 zł
	4,56 zł	456,00 zł
	3,69 zł	1 845,00 zł
	3,41 zł	3 410,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	3,13 zł	9 390,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Vishay
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	PowerPAIR-6x5F-8
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	2 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	30 V
Id – Ciągły prąd drenu:	105 A, 257 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	680 uOhms, 2.1 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 16 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2.2 V
Qg – ładunek bramki:	25 nC, 81 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	38 W, 83 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	TrenchFET
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	Vishay / Siliconix
Konfiguracja:	Dual
Czas zanikania:	5 ns, 10 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	93 S, 170 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	5 ns, 30 ns
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	TrenchFET Gen IV Power MOSFET
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	22 ns, 40 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	12 ns, 20 ns
Jednostka masy:	337,318 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

SIZF906BDT-T1-GE3 Karta charakterystyki

Technical Resources

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8504409100
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SiZF906BDT Dual N-Channel (D-S) MOSFET

Vishay / Siliconix SiZF906BDT Dual N-Channel (D-S) MOSFET is a SkyFET^® low side MOSFET with integrated schottky. The TrenchFET^® Gen IV power MOSFET is offered in a PowerPAIR 6x5F package and is 100% Rg and UIS tested. The Vishay / Siliconix SiZF906BDT Dual MOSFET is ideal for CPU core power, computer/server peripherals, POL, synchronous buck converter, and telecom DC/DC applications.