Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

DMTH64M2LPDW-13

Name: Diodes Incorporated DMTH64M2LPDW-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMTH64M2LPDW-13
Price: 8.86 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

621-DMTH64M2LPDW-13

Nr prod.:

DMTH64M2LPDW-13

Produc.:

Diodes Incorporated

Opis:

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

DMTH64M2LPDW-13 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Diodes Incorporated DMTH64M2LPDW-13

Dostępność

Stany magazynowe:: 0

Nadal możesz kupić ten produkt i dodać do zaległego zamówienia.

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Dostępna ilość z otwartych zamówień:: 2 500

Oczekiwane: 27.03.2026
Średni czas produkcji:: 24

tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	8,86 zł	8,86 zł
	5,72 zł	57,20 zł
	3,92 zł	392,00 zł
	3,13 zł	1 565,00 zł
	2,98 zł	2 980,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)
	2,86 zł	7 150,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Diodes Incorporated
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	PowerDI5060-8
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	2 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	60 V
Id – Ciągły prąd drenu:	90 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	7.8 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2.2 V
Qg – ładunek bramki:	48 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	74 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	Diodes Incorporated
Konfiguracja:	Dual
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	CN
Czas zanikania:	38 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	22 ns
Seria:	DMTH64M2LPDW
Wielkość opakowania producenta:	2500
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	55 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	5.2 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

DMTH64M2LPDW-13 Karta charakterystyki (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000

DMTH64M2LPDW Dual N-Channel E-Mode MOSFET

Diodes Incorporated DMTH64M2LPDW Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET is designed for high-efficiency power switching applications. DMTH64M2LPDW integrates two MOSFETs in a single PowerDI^® 5mm x 6mm package, offering compact size and excellent thermal performance. Each channel features a low on-resistance [R_DS(on)] and high current capability, ideal for synchronous rectification in DC-DC converters, power management in computing systems, and battery protection circuits. With a maximum drain-source voltage of 60V and continuous drain current up to 90A, this Diodes Inc device ensures fast switching and low conduction losses. The rugged design, combined with low gate charge and high avalanche energy rating, provides reliable operation in demanding environments such as server motherboards, graphics cards, and portable electronics.