Schottky Barrier Rectifiers

Taiwan Semiconductor Schottky Barrier Rectifiers are available in four packages (DO-214AC (SMA), DO-214AA (SMB), DO-214AB (SMC), SOD-123W) to provide a wide variety of choices to meet the customer's design requirements. These devices are available in 1A, 2A, 3A, and 4A forward current (IF) ratings and repetitive peak reverse voltage (VRRM) choices of 40V, 60V, and 100V. The peak forward surge current (IFSM) is available in either 70A, 100A, or 145A ratings. These Taiwan Semiconductor Schottky Barrier Rectifiers have a low power loss and are highly efficient.

Rodzaje elementów dyskretnych półprzewodnikowych

Zmień widok kategorii
Wyniki: 30
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Rodzaj produktu Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa
Taiwan Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers 3A, 100V Schottky Barrier Surface Mount Rectifier 1 400Na stanie magazynowym
7 500Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 7 500

Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT DO-214AC-2
Taiwan Semiconductor MOSFETs 600V, 14A, Single N-Channel High Voltage MOSFETs Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 2 000
Wielokr.: 2 000
Szpula: 2 000

MOSFETs Si Through Hole ITO-220S-3
Taiwan Semiconductor MOSFETs 600V, 14A, Single N-Channel High Voltage MOSFETs Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 2 000
Wielokr.: 2 000
Szpula: 2 000

MOSFETs Si Through Hole ITO-220S-3
Taiwan Semiconductor MOSFETs 600V, 12A, Single N-Channel High Voltage MOSFETs Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 2 000
Wielokr.: 2 000
Szpula: 2 000

MOSFETs Si Through Hole ITO-220S-3
Taiwan Semiconductor MOSFETs 600V, 12A, Single N-Channel High Voltage MOSFETs Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 2 000
Wielokr.: 2 000
Szpula: 2 000

MOSFETs Si Through Hole ITO-220TL-3