SiC MOSFETs C3M™ in TOLL Package

Wolfspeed SiC MOSFETs C3M™ in the TOLL Package offer a much lower on-state resistance temperature dependence than standard silicon MOSFETs. The MOSFETs feature superior switching speeds and low conduction loss, which is critical to achieving high efficiency at high power for next-generation power supplies. The SiC MOSFETs are optimized for high-performance power electronics applications, including enterprise, server, and telecom power supplies, electric vehicle charging, energy storage, and battery management systems.

Wyniki: 4
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-263-7, Industrial
Karta charakterystyki
1 014Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 24 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 25mO, 650V, TOLL, T&R, Industrial
Karta charakterystyki
850Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 000

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 77 A 25 mOhms - 8 V, + 19 V 2.3 V 111 nC - 40 C + 175 C 326 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 45mO, 650V, TOLL, T&R, Industrial
Karta charakterystyki
1 906Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 000

SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 650 V 49 A 60 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 59 nC - 40 C + 175 C 164 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 60mohm, 650V, TOLL,T&R, Industrial
Karta charakterystyki
1 193Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 000

SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 650 V 39 A 79 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 46 nC - 40 C + 175 C 131 W Enhancement