AgileSwitch® Phase Leg SiC MOSFET Power Modules

Microsemi / Microchip AgileSwitch® Phase Leg SiC (Silicon Carbide) MOSFET Power Modules are built with SiC MOSFETs and SiC Diodes and combine the advantages of both devices. These power modules feature an extremely low inductance SP6LI package with a maximum stray inductance of 3nH. These SP6LI power modules are offered in 1200V and 1700V variants with a case temperature (Tc) of +80°C. Offering higher power density and a compact form factor, the SP6LI package enables a lower quantity of modules in parallel to achieve complete systems, helping designers to downsize their equipment further.

Wyniki: 8
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Produkt
Rodzaj
Technologia
Vf – Napięcie przewodzenia
Vr – napięcie wsteczne
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Microchip Technology Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C LI
Karta charakterystyki
9Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

MOSFET-SiC SBD Modules MOSFET / SiC SBD SiC 1.8 V 700 V - 10 V, + 25 V Screw Mount - 40 C + 175 C
Microchip Technology Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C
Karta charakterystyki
3Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

MOSFET-SiC SBD Modules Full Bridge SiC 1.5 V 700 V - 10 V, + 25 V Screw Mount - 40 C + 125 C
Microchip Technology Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C
Karta charakterystyki
1Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

MOSFET-SiC SBD Modules Full Bridge SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V Screw Mount - 55 C + 175 C
Microchip Technology Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C LI
Karta charakterystyki
5Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

MOSFET-SiC SBD Modules MOSFET / SiC SBD SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V SMD/SMT SP6 - 40 C + 125 C
Microchip Technology Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C LI
Karta charakterystyki
1Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

MOSFET-SiC SBD Modules MOSFET / SiC SBD SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V SMD/SMT SP6 - 40 C + 125 C
Microchip Technology Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C LI
Karta charakterystyki
8Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

MOSFET-SiC SBD Modules MOSFET / SiC SBD SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V SMD/SMT SP6 - 40 C + 125 C
Microchip Technology Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 18 tygodni
Min.: 2
Wielokr.: 2

MOSFET-SiC SBD Modules Full Bridge SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V Screw Mount - 55 C + 175 C
Microchip Technology Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 18 tygodni
Min.: 2
Wielokr.: 2

MOSFET-SiC SBD Modules Full Bridge SiC 1.5 V 700 V - 10 V, + 25 V Screw Mount - 40 C + 125 C