PSMN6R1 N-channel MOSFETs

Nexperia PSMN6R1 N-channel MOSFETs is a dual logic level N-channel MOSFET housed in an LFPAK56D (dual power-SO8) package. The Nexperia MOSFETs use TrenchMOS technology. The devices are repetitive avalanche-rated and qualified to 175°C.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Opakowanie
Nexperia MOSFETs SOT205 2NCH 40V 40A
Karta charakterystyki
237Na stanie magazynowym
9 000Oczekiwane: 08.02.2027
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 40 V 40 A 7.2 mOhms - 10 V, 10 V 2.1 V 22.2 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFETs SOT1205 2NCH 40V 40A
Karta charakterystyki
2 310Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 40 V 40 A 6.8 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 28.9 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel