QPD1035 GaN RF Power Transistors

Qorvo QPD1035 GaN RF Power Transistors are 40W discrete GaN on SiC HEMTs operating from DC to 6GHz with a 50V supply. The Qorvo QPD1035 transistors feature an input pre-match, making it ideal for broadband amplifiers in pulsed and CW operations. The devices are lead-free and RoHS-compliant.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy
Qorvo GaN FETs 30W, DC - 6GHz 46Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 50

Flanged - 40 C + 85 C 50.4 W
Qorvo GaN FETs 30W, DC - 6GHz, Flanged
100Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 50

Flanged - 40 C + 85 C 50.4 W