Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

FGH60N60SMD

Name: onsemi FGH60N60SMD
Brand: onsemi
SKU: 512-FGH60N60SMD
Price: 27.93 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

512-FGH60N60SMD

Nr prod.:

FGH60N60SMD

Produc.:

onsemi

Opis:

IGBTs 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2

Karta charakterystyki:

FGH60N60SMD Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 7 788

Stany magazynowe:: 7 788 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 13 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1 Maksymalnie: 120

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	27,93 zł	27,93 zł
	16,17 zł	161,70 zł
	13,57 zł	1 628,40 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Tranzystory IGBT
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Opakowanie/obudowa:	TO-247
Styl mocowania:	Through Hole
Konfiguracja:	Single
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO:	600 V
Napięcie nasycenia kolektor-emiter :	1.9 V
Maksymalne napięcie bramka–emiter :	- 20 V, 20 V
Ciągły prąd kolektora przy 25°C:	120 A
Pd – strata mocy:	600 W
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Seria:	FGH60N60SMD
Opakowanie:	Tube
Marka:	onsemi
Prąd upływowy bramka–emiter:	400 nA
Rodzaj produktu:	IGBT Transistors
Wielkość opakowania producenta:	30
Podkategoria:	IGBTs
Jednostka masy:	6,390 g

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

FGH60N60SMD Karta charakterystyki

PCN

Kody zgodności

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Klasyfikacja pochodzenia

Kraj pochodzenia:: Chiny
Kraj montażu:: Chiny
Kraj wytworzenia:: Korea Południowa

Kraj może ulec zmianie w momencie wysyłki.

Field Stop IGBTs

onsemi Field Stop (FS) IGBTs offer optimum performance with low conduction and switching losses. These IGBTs feature high current handling capability, positive temperature coefficient, tight parameter distribution, and a wide safe operating area. The FS IGBTs come with increased breakdown voltage that improves reliability where negative ambient temperatures are present. As the temperature decreases the IGBT and FRD blocking voltage also decreases that makes the devices particularly beneficial for PV solar inverters used in colder climates. onsemi IGBTs provide fast and soft recovery that reduces power dissipation and achieves low turn-on and turn-off losses.

FGH60N60SMD & FGH40N60SMD Field Stop IGBTs

onsemi FGH60N60SMD and FGH40N60SMD 600V Field Stop IGBTs offer the most ideal performance for Solar Inverters, UPS, SMPS, IH, and PFC applications in which low conduction and switching losses are essential. onsemi FGH60N60SMD and FGH40N60SMD 600V Field Stop IGBTs have 60A and 40A collector current ratings, respectively. Both IGBT Series offer a maximum junction temperature of 175ºC, a positive temperature co-efficient for an easy parallel operating, high current capability, low saturation voltage, high input impedance, fast switching ability, and tight parameter distribution.