Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

STGHU30M65DF2AG

Name: STMicroelectronics STGHU30M65DF2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGHU30M65DF2AG
Price: 16.38 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

511-STGHU30M65DF2AG

Nr prod.:

STGHU30M65DF2AG

Produc.:

STMicroelectronics

Opis:

IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT

Dokończ swój projekt

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

STGHU30M65DF2AG Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o STMicroelectronics STGHU30M65DF2AG

Na stanie magazynowym: 540

Stany magazynowe:: 540

Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Dostępna ilość z otwartych zamówień:: 600

Oczekiwane: 20.04.2026
Średni czas produkcji:: 15

tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 600)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	16,38 zł	16,38 zł
	10,88 zł	108,80 zł
	7,70 zł	770,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 600)
	6,19 zł	3 714,00 zł
	5,98 zł	7 176,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	STMicroelectronics
Kategoria produktów:	Tranzystory IGBT
RoHS:
Technologia:	Si
Opakowanie/obudowa:	HU3PAK-7
Styl mocowania:	SMD/SMT
Konfiguracja:	Single
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO:	650 V
Napięcie nasycenia kolektor-emiter :	1.6 V
Maksymalne napięcie bramka–emiter :	20 V
Ciągły prąd kolektora przy 25°C:	87 A
Pd – strata mocy:	441 W
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Kwalifikacje:	AEC-Q101
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	STMicroelectronics
Ciągły prąd kolektora – Ic max.:	57 A
Prąd upływowy bramka–emiter:	250 nA
Rodzaj produktu:	IGBTs
Wielkość opakowania producenta:	600
Podkategoria:	Transistors
Jednostka masy:	2,320 g

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

STGHU30M65DF2AG Karta charakterystyki (PDF)

PCN

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

STGHU30M65DF2AG Automotive-Grade IGBT

STMicroelectronics STGHU30M65DF2AG Automotive-Grade IGBT is developed using an advanced trench gate field stop structure. The STMicroelectronics STGHU30M65DF2AG offers an ideal balance of inverter performance and efficiency, with low power loss and short-circuit protection. The positive V_CE(sat) temperature coefficient and consistent parameter distribution enhance safe paralleling operation.