NXH80T120L2Q0S2/P2G Q0PACK Power Modules

onsemi NXH80T120L2Q0S2/P2G Q0PACK Power Modules contain a T−type neutral point clamped (NPC) three-level inverter stage. The fast recovery diodes and integrated field stop trench IGBTs in the onsemi NXH80T120L2Q0S2/P2G provide lower switching losses and conduction losses, enabling designers to achieve high efficiency and superior reliability.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Produkt
Konfiguracja
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
Ciągły prąd kolektora przy 25°C
Prąd upływowy bramka–emiter
Pd – strata mocy
Opakowanie/obudowa
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Opakowanie
onsemi IGBT Modules PIM Q0 T-TYPE NPC 80A 1200V SOLDER PINS TIM
Karta charakterystyki
23Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Q0PACK Modules Module 1.2 kV 2.05 V 67 A 300 nA 158 W - 40 C + 150 C Tray
onsemi IGBT Modules PIM Q0 T-TYPE NPC 80A 1200V PRESS-FIT PINS
Karta charakterystyki
23Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Silicon Modules Quad 1.2 kV 2.1 V 67 A 300 nA 158 W 65.9 mm x 32.5 mm x 12 mm - 40 C + 150 C Tray