Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

IXSA80N120L2-7TR

Name: IXYS IXSA80N120L2-7TR
Brand: IXYS
SKU: 747-IXSA80N120L2-7TR
Price: 44.38 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

747-IXSA80N120L2-7TR

Nr prod.:

IXSA80N120L2-7TR

Produc.:

IXYS

Opis:

SiC MOSFETs 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

IXSA80N120L2-7TR Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o IXYS IXSA80N120L2-7TR

Na stanie magazynowym: 760

Stany magazynowe:: 760 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 27 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	44,38 zł	44,38 zł
	36,12 zł	361,20 zł
	28,29 zł	2 829,00 zł
	26,83 zł	13 415,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 800)
	25,97 zł	20 776,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	IXYS
Kategoria produktów:	Moduły MOSFET SIC
RoHS:
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	TO-263-7L
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	1.2 kV
Id – Ciągły prąd drenu:	79 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	39 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 5 V, + 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4.5 V
Qg – ładunek bramki:	135 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	395 W
Tryb kanału:	Enhancement
Marka:	IXYS
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	CN
Czas zanikania:	13.6 ns
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Produkt:	MOSFETs
Rodzaj produktu:	SiC MOSFETS
Czas narastania:	24.6 ns
Seria:	IXSA80N120L2-7
Wielkość opakowania producenta:	800
Podkategoria:	Transistors
Technologia:	SiC
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Rodzaj:	SiC MOSFET
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	28.6 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	15.4 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

IXSA80N120L2-7TR Karta charakterystyki (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Tranzystor MOSFET SiC IXSA80N120L2-7

IXYS IXSA80N120L2-7 SiC MOSFET is an industrial-grade, single-switch SiC MOSFET exhibiting power cycling characteristics and very fast, low-loss switching behavior. This MOSFET features low conduction losses, low gate drive power requirements, and low thermal management effort and is optimized for gate control. The IXSA80N120L2-7 SiC MOSFET is used for high-speed industrial switch-mode power supplies. This SiC MOSFET is ideal for solar inverters, switch-mode power supplies, UPS, motor drives, DC/DC converters, EV charging infrastructure, and induction heating.