Tranzystory mocy MOSFET 1200 V na bazie węglika krzemu

Tranzystory mocy MOSFET 1200 V na bazie węglika krzemu firmy Wolfspeed ustanawiają nowy standard wydajności, wytrzymałości i łatwości projektowania.  Tranzystory MOSFET firmy Wolfspeed charakteryzują się szybkim przełączaniem i niskimi stratami przełączania, co zapewnia znaczną poprawę wydajności systemu, gęstości mocy i ogólnego kosztu w porównaniu do dotychczas stosowanych rozwiązań w zakresie krzemowych tranzystorów MOSFET i IGBT.

Wyniki: 24
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 21mO, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
Karta charakterystyki
63Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 248 A 35 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 169 nC - 40 C + 175 C 500 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-263-7XL, Industrial
Karta charakterystyki
661Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 1.2 kV 64 A 53.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 94 nC - 40 C + 150 C 272 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 75mO, 1200V, TO-247-4, 175C capable, Industrial
Karta charakterystyki
699Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 32 A 90 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 53 nC - 40 C + 175 C 136 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 160mO, 1200V, TO-263-7, Industrial
Karta charakterystyki
903Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 24 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 40mO, 1200V, TO-263-7XL T&R, Industrial
Karta charakterystyki
644Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 1.2 kV 64 A 53.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 94 nC - 40 C + 150 C 272 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 16mO, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Karta charakterystyki
840Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 115 A 29 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 223 nC - 40 C + 175 C 556 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 21mO, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Karta charakterystyki
434Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 35 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 177 nC - 40 C + 175 C 405 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 32mO, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
Karta charakterystyki
460Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 68 A 55 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 108 nC - 40 C + 175 C 341 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 32mO, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Karta charakterystyki
304Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 69 A 55 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 118 nC - 40 C + 175 C 278 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 40mO, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
Karta charakterystyki
314Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 64 A 70 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 91 nC - 40 C + 175 C 294 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 75mO, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
Karta charakterystyki
647Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 30 A 135 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 52 nC - 55 C + 150 C 172 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 32mohm, 1200V, TO-263-7 XL, Industrial
Karta charakterystyki
941Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 63 A 32 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 111 nC - 40 C + 175 C 277 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 350mO,1200V, TO-263-7, Industrial
Karta charakterystyki
1 000Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 7.2 A 455 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 13 nC - 55 C + 150 C 40.8 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 40mO, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Karta charakterystyki
119Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 66 A 70 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 94 nC - 40 C + 175 C 242 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 75mO, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Karta charakterystyki
220Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 32 A 135 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 53 nC - 55 C + 150 C 145 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 160mO, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Karta charakterystyki
384Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4LP N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17.9 A 280 mOhms - 4 V, + 15 V 3.8 V 32 nC - 40 C + 175 C 103 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 40mO, 1200V, TO-247-4, Industrial
Karta charakterystyki
711Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 66 A 40 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 99 nC - 40 C + 175 C 326 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 160mO, 1200V, TO-247-3, Industrial
Karta charakterystyki
1 562Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 160 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 38 nC - 55 C + 150 C 97 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 75mO, 1200V, TO-247-3, 175C capable, Industrial
Karta charakterystyki
178Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 32 A 90 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 54 nC - 40 C + 175 C 136 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET
Karta charakterystyki
61Na stanie magazynowym
450Oczekiwane: 12.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 28.8 mOhms - 8 V, + 19 V 2.5 V 162 nC - 40 C + 175 C 469 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET
Karta charakterystyki
450Oczekiwane: 30.07.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 63 A 32 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 114 nC - 40 C + 175 C 283 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 350mO,1200V, TO-247-3, Industrial
Karta charakterystyki
870Oczekiwane: 19.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 7.6 A 455 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 19 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET
Karta charakterystyki
695Oczekiwane: 12.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 28.8 mOhms - 4 V, + 15 V 1.8 V 160 nC - 40 C + 175 C 469 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET
Karta charakterystyki
900Oczekiwane: 19.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 63 A 32 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 118 nC - 40 C + 175 C 283 W Enhancement