MJD2873 NPN 50V 2A High Power Bipolar Transistors

Nexperia MJD2873 NPN 50V 2A High Power Bipolar Transistors come in a power DPAK, TO-252 (SOT428C) surface-mounted device (SMD) plastic package. These devices have a high thermal power dissipation capability and have high energy efficiency due to less heat generation. The Nexperia MJD2873 has a low collector-emitter saturation voltage and has fast switching speeds. Typical applications for these devices are power management, load switch, linear mode voltage regulator, constant current drive backlighting, motor drives, and relay replacement. The MJD2873-Q bipolar transistor is AEC-Q101 qualified.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Konfiguracja
Maksymalny prąd DC kolektora
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO
Napięcie emiter–baza VEBO
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
Pd – strata mocy
Wzmacniacze GBP fT
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Kwalifikacje
Opakowanie
Nexperia Bipolar Transistors - BJT SOT428 50V 2A NPN HI PWR BJT
Karta charakterystyki
3 545Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) NPN Single 2 A 50 V 6 V 300 mV 15 W 65 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Bipolar Transistors - BJT SOT428 50V 2A NPN HI PWR BJT
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 2 500
Wielokr.: 2 500
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) NPN Single 3 A 50 V 6 V 300 mV 1.6 W 65 MHz - 55 C + 150 C AEC-Q101 Reel