Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

NSVT5551MR6T1G

Name: onsemi NSVT5551MR6T1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NSVT5551MR6T1G
Price: 3.47 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-NSVT5551MR6T1G

Nr prod.:

NSVT5551MR6T1G

Produc.:

onsemi

Opis:

Bipolar Transistors - BJT NPN GENERAL-PURPOSE AMPLIFIER

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi NSVT5551MR6T1G

Na stanie magazynowym: 2 441

Stany magazynowe:: 2 441 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 10 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	3,47 zł	3,47 zł
	2,15 zł	21,50 zł
	1,47 zł	147,00 zł
	1,15 zł	575,00 zł
	0,989 zł	989,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	0,808 zł	2 424,00 zł
	0,744 zł	4 464,00 zł
	0,688 zł	6 192,00 zł
	0,671 zł	16 104,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Tranzystory bipolarne - BJT
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	TSOT-23-6
Polaryzacja tranzystora:	NPN
Konfiguracja:	Dual
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO:	160 V
Napięcie kolektor-baza VCBO:	180 V
Napięcie emiter–baza VEBO:	6 V
Pd – strata mocy:	700 mW
Wzmacniacze GBP fT:	300 MHz
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Seria:	NSVT5551M
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	onsemi
Ciągły prąd kolektora:	600 mA
Wzmocnienie kolektora/bazy DC hfe min.:	80 at 1 mA, 5 V
Rodzaj produktu:	BJTs - Bipolar Transistors
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541210000
USHTS:: 8541210075
ECCN:: EAR99

NSVT5551M Bipolar Transistor

onsemi NSVT5551M Bipolar Transistor is an AEC-Q101 qualified NPN general-purpose low V_CE(sat) amplifier. This NPN bipolar transistor has matched dies and operates at -55°C to 150°C storage temperature range. The NSVT5551M BJT Pb-free, halogen-free, BFR-free, and RoHS-compliant. This transistor is generally used for many different applications.