Półmostkowe moduły MOSFET SiC 1200 V

Moduły półmostkowe MOSFET GCMX 1200V SiC firmy SemiQ oferują niskie straty przełączania, niską rezystancję termiczną między złączem a obudową oraz bardzo wytrzymały i łatwy montaż. Moduły te pozwalają bezpośrednio umocować radiator (osobny pakiet) i oferują punkt odniesienia Kelvina zapewniający stabilną pracę. Wszystkie części zostały rygorystycznie przetestowane dla napięć powyżej 1350 V. Wyjątkową cechą tych modułów jest solidne napięcie dren-źródło 1200 V. Moduły półmostkowe GCMX pracują w temperaturze złącza 175°C i są zgodne z dyrektywą RoHS. Typowe zastosowania obejmują falowniki fotowoltaiczne, ładowarki akumulatorów, systemy magazynowania energii oraz wysokonapięciowe przetwornice DC-DC.

Wyniki: 9
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Seria
Opakowanie
SemiQ MOSFET Modules 1200V, 3mohm, 625A SiC MOSFET Half Bridge Module
Karta charakterystyki
10Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Screw Mount S3 N-Channel 2 Channel 1.2 kV 625 A 5.5 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V - 40 C + 150 C 2.113 kW GCMX Bulk
SemiQ MOSFET Modules SiC 1200V 5mohm MOSFET Half-Bridge Module
Karta charakterystyki
34Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 40

SiC Screw Mount N-Channel 1.2 kV 383 A 4.4 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 175 C 1.154 kW GCMX Reel, Cut Tape
SemiQ MOSFET Modules SiC 1200V 20mohm MOSFET Half-Bridge Module
Karta charakterystyki
40Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 40

SiC Screw Mount N-Channel 1.2 kV 102 A 19 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 175 C 385 W GCMX Reel, Cut Tape
SemiQ MOSFET Modules SiC 1200V 3mohm MOSFET S7 Half-Bridge Module
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 8 tygodni
Min.: 10
Wielokr.: 10

GCMX Bulk
SemiQ MOSFET Modules 1200V, 5mohm SiC MOSFET Half Bridge Module
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Screw Mount S3 N-Channel 2 Channel 1.2 kV 424 A 7 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V - 40 C + 150 C 1.531 kW GCMX Bulk
SemiQ MOSFET Modules SiC 1200V 5mohm MOSFET Half-Bridge Module
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 10

SiC Screw Mount N-Channel 1.2 kV 348 A 4.9 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 175 C 1.042 kW GCMX Reel, Cut Tape
SemiQ MOSFET Modules SiC 1200V 10mohm MOSFET Half-Bridge Module
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 24 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 40

SiC Screw Mount N-Channel 1.2 kV 214 A 9 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 175 C GCMX Reel, Cut Tape
SemiQ MOSFET Modules SiC 1200V 10mohm MOSFET Half-Bridge Module
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 40

SiC Screw Mount N-Channel 1.2 kV 173 A 9 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 175 C 577 W GCMX Reel, Cut Tape
SemiQ MOSFET Modules 1200V, 40mohm SiC MOSFET Half Bridge Module
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
Min.: 40
Wielokr.: 40

SiC Press Fit B2 N-Channel 2 Channel 1.2 kV 56 A 52 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V - 40 C + 150 C 217 W GCMX Bulk