Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

BF 888 H6327

Name: Infineon BF 888 H6327
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BF888H6327
Price: 3.33 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

726-BF888H6327

Nr prod.:

BF 888 H6327

Produc.:

Infineon Technologies

Opis:

RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR

Cykl życia:

Wycofane z eksploatacji:

Produkt został uznany przez producenta za przestarzały i zostanie wycofany z oferty.

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Infineon Technologies BF 888 H6327

Dostępność

Stany magazynowe:: Niedostępne na stanie

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: Zleć wycenę przesyłki

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	3,33 zł	3,33 zł
	2,05 zł	20,50 zł
	1,40 zł	140,00 zł
	1,10 zł	550,00 zł
	0,942 zł	942,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	0,80 zł	2 400,00 zł
	0,735 zł	4 410,00 zł
	0,679 zł	6 111,00 zł
	0,658 zł	15 792,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

Alternatywne pakowanie

Produc. Nr części:

BF888H6327XTSA1

Opakowanie:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Dostępność:

Na stanie magazynowym

Cena:

3,33 zł

Min.:

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Infineon
Kategoria produktów:	Tranzystory bipolarne RF
RoHS:
Seria:	BF888
Rodzaj tranzystora:	Bipolar Power
Technologia:	Si
Polaryzacja tranzystora:	NPN
Wzmocnienie kolektora/bazy DC hfe min.:	250
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO:	4 V
Napięcie emiter–baza VEBO:	13 V
Ciągły prąd kolektora:	30 mA
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Konfiguracja:	Single
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	SOT-343
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	Infineon Technologies
Pd – strata mocy:	160 mW
Rodzaj produktu:	RF Bipolar Transistors
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Nazwy umowne nr części:	SP000745170 BF888H6327XT BF888H6327XTSA1

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

EOL

Product Discontinuation Notification 2024-5-23 (PDF)

Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

RF Transistors

Infineon RF Transistors include Low Noise Amplifiers and High Linearity Transistors. Devices in the Low Noise category are based on silicon bipolar technology. Moderate transition frequency of fT <20 GHz provides ease of use and stability. Breakdown voltage can safely support supply voltage of 5V. These transistors are suitable for use with AM over VHF/UHF up to 14GHz. High Linearity Transistors provide OIP3 (Output 3rd Order Intercept Point) above 29dBm. They are based on Infineon's high volume silicon bipolar and SiGe:C technologies for best in class noise figures. These devices are ideal for drivers, pre-amplifiers, and buffer amplifiers.