NTHL022N120M3S

onsemi
863-NTHL022N120M3S
NTHL022N120M3S

Produc.:

Opis:
SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L

Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.
Więcej informacji
Dowiedz się więcej o onsemi NTHL022N120M3S

Na stanie magazynowym: 252

Stany magazynowe:
252 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
20 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
64,20 zł 64,20 zł
46,74 zł 467,40 zł
45,58 zł 4 558,00 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
onsemi
Kategoria produktów: Moduły MOSFET SIC
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
68 A
30 mOhms
- 10 V, + 22 V
4.4 V
139 nC
- 55 C
+ 175 C
352 W
Enhancement
EliteSiC
Marka: onsemi
Czas zanikania: 14 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.: 34 S
Opakowanie: Tube
Rodzaj produktu: SiC MOSFETS
Czas narastania: 50 ns
Seria: NTHL022N120M3S
Wielkość opakowania producenta: 450
Podkategoria: Transistors
Technologia: SiC
Rodzaj tranzystora: 1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 44 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 19 ns
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Karta charakterystyki

PCN

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NTHL022N120M3S EliteSiC Silicon Carbide MOSFET

onsemi NTHL022N120M3S EliteSiC Silicon Carbide MOSFET is a 1200V, M3S, planar device optimized for fast switching applications. Planar technology reliably works with a negative gate voltage drive and turn off spikes on the gate. NTHL022N120M3S offers optimum performance when driven with an 18V gate drive (also works with a 15V gate drive). Available in a TO-247-3L package, the NTHL022N120M3S is ideal for industrial, UPS/ESS, solar, and EV charger applications.

M3S EliteSiC MOSFETs

onsemi M3S EliteSiC MOSFETs are solutions for high-frequency switching applications that employ hard-switched topologies. The onsemi M3S MOSFETs are designed to optimize performance and efficiency. The device has a remarkable ~40% reduction in total switching losses (Etot) compared to the 1200V 20mΩ M1 counterparts. The M3S EliteSiC MOSFETs are perfectly suited for various applications, including solar power systems, onboard chargers, and electric vehicle (EV) charging stations.

Energy Storage Solutions

onsemi Energy Storage Systems (ESS) store electricity from various power sources, like coal, nuclear, wind, and solar, in different forms, including batteries (electrochemical), compressed air (mechanical), and molten salt (thermal). This solution focuses on battery energy storage systems connected to solar inverter systems.

Wystąpił nieoczekiwany błąd.


Jakieś pytania? Proszę odwiedzić Centrum Pomocy.
W przypadku pytań dotyczących konkretnego zamówienia, proszę zalogować się na swoje konto.

Jeśli pojawią się dalsze problemy, proszę skontaktować się z nami pod numerem 800-346-6873 lub wysłać wiadomość e-mail na adres help@mouser.com.