Tranzystory mocy MOSFET OptiMOS™ 6

Tranzystory mocy MOSFET OptiMOS™ 6 firmy Infineon Technologies oferują najnowocześniejsze innowacje nowej generacji oraz najlepszą w swojej klasie wydajność. Rodzina OptiMOS 6 wykorzystuje technologię produkcji z cienkich wafli, co zapewnia istotne korzyści w zakresie wydajności. W porównaniu do produktów alternatywnych tranzystory mocy MOSFET OptiMOS 6 oferują niższą o 30% rezystancję RDS(ON) i są zoptymalizowane pod kątem synchronicznej rektyfikacji.

Wyniki: 81
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Nazwa handlowa Opakowanie
Infineon Technologies MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
9 920Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 600 uOhms - 20 V, 20 V 3 V 116 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
2 000Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 000

Si SMD/SMT PG-LHDSO-10-3 N-Channel 40 V 390 A 750 uOhms 20 V 3 V 100 nC - 55 C + 175 C 206 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in TO-220
500Oczekiwane: 12.03.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si OptiMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >150 - 400V
2 000Oczekiwane: 26.02.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 136 A 6.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 73 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLL package
1 916Oczekiwane: 05.03.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 000

Si SMD/SMT PG-HSOF-8 N-Channel 1 Channel 150 V 147 A 4.4 mOhms 20 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET 40V
10 000Oczekiwane: 05.02.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 5 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 40 V 232 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 51 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel