Rodzaje elementów dyskretnych półprzewodnikowych
Zmień widok kategorii
Wyniki: 33
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Rodzaj produktu
Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa

onsemi SiC Schottky Diodes 1200V SiC SBD 30A
Karta charakterystyki
66Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-3
onsemi IGBTs 650V 40A FS4 SA IGBT
Karta charakterystyki
101Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3PF-3
onsemi SiC Schottky Diodes 650V 6A SIC SBD GEN1.5
Karta charakterystyki
18Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 800

SiC Schottky Diodes SMD/SMT D2PAK-2
onsemi SiC Schottky Diodes SIC DIODE TO220 650V
Karta charakterystyki
76Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2
onsemi IGBTs 650V 50A FS4 HYBRID IGBT INDUSTRIAL (TO247-4L)
Karta charakterystyki
425Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-4LD

onsemi IGBTs FS4 LOW VCESAT IGBT 650V
Karta charakterystyki
450Oczekiwane: 19.06.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3

onsemi IGBTs FS4 LOW VCESAT IGBT 650V
Karta charakterystyki
450Oczekiwane: 19.06.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-4

onsemi IGBTs FS4 T TO247 50A 650V 4L
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1
IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-4