RV7x N-Ch Middle Power MOSFETs

ROHM Semiconductor RV7x N-Ch Middle Power MOSFETs provide low on-resistance and excellent thermal conduction. The RV7x is available in a leadless ultra-small and exposed drain pad SMD plastic package (1.2mm x 1.2mm x 0.5mm). The ROHM RV7x MOSFETs are ideal for switching and load switch applications with an operating temperature range of -55°C to +150°C.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Opakowanie
ROHM Semiconductor MOSFETs Nch 30V 4A Middle Power MOSFET 6 000Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT DFN-1212-3 N-Channel 1 Channel 30 V 4 A 45 mOhms - 12 V, 12 V 1.5 V 4 nC - 55 C + 150 C 1.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor MOSFETs Nch 60V 2A Middle Power MOSFET 2 630Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT DFN-1212-3 N-Channel 1 Channel 60 V 2 A 157 mOhms - 20 V, 20 V 2.7 V 2.1 nC - 55 C + 150 C 1.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel