62mm C Series TRENCHSTOP IGBT7 Modules

Infineon Technologies 62mm C Series TRENCHSTOP™ IGBT7 Modules offer high power density and a positive temperature coefficient. The TRENCHSTOP IGBT7 technology and standard housing make the modules ideal for servo drives, UPS systems, and commercial agriculture vehicles. The Infineon 62mm C Series TRENCHSTOP IGBT7 Modules are qualified for industrial applications.

Wyniki: 7
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Produkt
Konfiguracja
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
Ciągły prąd kolektora przy 25°C
Prąd upływowy bramka–emiter
Opakowanie/obudowa
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Opakowanie
Infineon Technologies IGBT Modules 62 mm C-Series module with TRENCHSTOP IGBT7 and emitter controlled 7 diode
Karta charakterystyki
30Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Module Half Bridge 1.2 kV 1.5 V 800 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1700 V, 600 A dual IGBT module
Karta charakterystyki
24Na stanie magazynowym
8Oczekiwane: 11.06.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 450 A common emitter IGBT module
Karta charakterystyki
29Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 450 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 800 A dual IGBT module
Karta charakterystyki
30Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Module Half Bridge 1.2 kV 1.5 V 800 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 800 A dual IGBT module
Karta charakterystyki
28Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Module Half Bridge 1.2 kV 1.5 V 800 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 450 A dual IGBT module
Karta charakterystyki
32Oczekiwane: 11.06.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 450 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 600 A dual IGBT module
Karta charakterystyki
32Oczekiwane: 11.06.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray