F3L200R07W2S5FP EasyPACK™ IGBT Modules

Infineon Technologies F3L200R07W2S5FP EasyPACK™ IGBT Modules feature up to 650V increased blocking voltage capability and employ CoolSiC™ Schottky diode (gen5). These devices are based on TRENCHSTOP™ IGBT5  and PressFIT contact technology. The F3L200R07W2S5FP IGBT modules provide strongly reduced switching losses and an Al2O3 substrate with low thermal resistance. These modules come with a compact design comprising rugged mounting due to integrated mounting clamps and pre-applied thermal interface material. The F3L200R07W2S5FP IGBT modules are ideal for motor drives, solar applications, 3-level applications, and UPS systems.  

Wyniki: 3
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Produkt Konfiguracja Max. napięcie kolektor-emiter VCEO Napięcie nasycenia kolektor-emiter Ciągły prąd kolektora przy 25°C Prąd upływowy bramka–emiter Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Opakowanie
Infineon Technologies IGBT Modules 650 V, 200 A 3-level IGBT module Czas realizacji 10 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC IGBT Modules 3-Phase Inverter 650 V 1.17 V 200 A 100 nA - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 650 V, 200 A 3-level IGBT module Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 10 tygodni
Min.: 18
Wielokr.: 18

Tray
Infineon Technologies F3L200R07W2S5FPB56BPSA1
Infineon Technologies IGBT Modules 650 V, 200 A 3-level IGBT module Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 10 tygodni
Min.: 18
Wielokr.: 18

Tray