Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Opakowanie
ROHM Semiconductor MOSFETs 60V 3.0A/3.5A, Dual Nch+Pch, TSMT8, Power MOSFET
Karta charakterystyki
26 743Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT TSMT-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 60 V 3 A, 3.5 A 90 mOhms, 91 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 3.1 nC, 17.3 nC - 55 C + 150 C 1.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs 40V 4.5A/5.0A, Dual Nch+Pch, TSMT8, Power MOSFET
Karta charakterystyki
2 195Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT TSMT-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 40 V 4.5 A, 5 A 44 mOhms, 41 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 3.5 nC, 17.2 nC - 55 C + 150 C 1.5 W Enhancement Reel, Cut Tape