SCT4018KW7TL

ROHM Semiconductor
755-SCT4018KW7TL
SCT4018KW7TL

Produc.:

Opis:
SiC MOSFETs TO263 1.2KV 75A N-CH SIC

Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.
Więcej informacji
Dowiedz się więcej o ROHM Semiconductor SCT4018KW7TL

Na stanie magazynowym: 1 175

Stany magazynowe:
1 175 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
27 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Ilości większe niż 1175 będą podlegać wymogom dotyczącym zamówień minimalnych.
W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1000)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ †
109,26 zł 109,26 zł
97,09 zł 970,90 zł
84,93 zł 8 493,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1000)
77,53 zł 77 530,00 zł
2 000 Oferta
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
ROHM Semiconductor
Kategoria produktów: Moduły MOSFET SIC
RoHS:  
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
75 A
23.4 mOhms
- 4 V, + 21 V
4.8 V
170 nC
+ 175 C
267 W
Enhancement
Marka: ROHM Semiconductor
Konfiguracja: Single
Czas zanikania: 11 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.: 22 S
Opakowanie: Reel
Opakowanie: Cut Tape
Opakowanie: MouseReel
Produkt: MOSFET's
Rodzaj produktu: SiC MOSFETS
Czas narastania: 21 ns
Wielkość opakowania producenta: 1000
Podkategoria: Transistors
Technologia: SiC
Rodzaj tranzystora: 1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 50 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 13 ns
Nazwy umowne nr części: SCT4018KW7
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Karta charakterystyki

Specification Sheets

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

4th Generation N-Channel SiC Power MOSFETs

ROHM Semiconductor 4th Generation N-Channel Silicon-Carbide (SiC) Power MOSFETs provide low on-resistances with improvements in the short-circuit withstand time. The 4th Generation SiC MOSFETs are easy to parallel and simple to drive. The MOSFETs feature fast switching speeds/reverse recovery, low switching losses, and a +175°C maximum operating temperature. The ROHM 4th Generation N-Channel SSiC Power MOSFETs support a 15V gate-source voltage that contributes to device power savings.

SCT4018KW7 N-Ch SiC power MOSFET

ROHM Semiconductor SCT4018KW7 N-Ch SiC power MOSFET offers low on-resistance and a fast switching speed. The SCT4018KW7 is simple to drive and easy to parallel. The device also features lead-free lead plating and is RoHS compliant. ROHM Semiconductor SCT4018KW7 N-Ch SiC power MOSFET is suitable for solar inverters, induction heating, switch mode power supplies, DC/DC converters, and motor drives.

Wystąpił nieoczekiwany błąd.


Jakieś pytania? Proszę odwiedzić Centrum Pomocy.
W przypadku pytań dotyczących konkretnego zamówienia, proszę zalogować się na swoje konto.

Jeśli pojawią się dalsze problemy, proszę skontaktować się z nami pod numerem 800-346-6873 lub wysłać wiadomość e-mail na adres help@mouser.com.