Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

M1P45M12W2-1LA

Name: STMicroelectronics M1P45M12W2-1LA
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-M1P45M12W2-1LA
Price: 217.6 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

511-M1P45M12W2-1LA

Nr prod.:

M1P45M12W2-1LA

Produc.:

STMicroelectronics

Opis:

MOSFET Modules Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, 1200 V, 47.5 mOhm SiC MOSFET NTC

Dokończ swój projekt

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

M1P45M12W2-1LA Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o STMicroelectronics M1P45M12W2-1LA

Na stanie magazynowym: 119

Stany magazynowe:: 119 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 24 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	217,60 zł	217,60 zł
	165,69 zł	1 822,59 zł
	158,93 zł	17 482,30 zł
506	Oferta

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	STMicroelectronics
Kategoria produktów:	Moduły MOSFET
RoHS:
Technologia:	SiC
Styl mocowania:	Press Fit
Opakowanie/obudowa:	ACEPACK DMT-32
Liczba kanałów:	6 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	1.2 kV
Id – Ciągły prąd drenu:	30 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	60.5 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 10 V, + 22 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	5 V
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Opakowanie:	Tube
Marka:	STMicroelectronics
Wysokość:	5.9 mm
Długość:	44.5 mm
Rodzaj produktu:	MOSFET Modules
Kwalifikacje:	AQG-324
Wielkość opakowania producenta:	11
Podkategoria:	Discrete and Power Modules
Rodzaj:	Power Module
Szerokość:	27.9 mm

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

M1P45M12W2-1LA Karta charakterystyki (PDF)

PCN

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

Kody zgodności

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Klasyfikacja pochodzenia

Kraj pochodzenia:: Chiny
Kraj montażu:: Niedostępne
Kraj wytworzenia:: Niedostępne

Kraj może ulec zmianie w momencie wysyłki.

M1P45M12W2-1LA ACEPACK DMT‑32 Power Module

STMicroelectronics M1P45M12W2-1LA ACEPACK DMT‑32 Power Module realizes a six-pack topology with integrated NTC tailored for the DC/DC converter stage of the OBC. This power module is used in On-Board Charger (OBC). The M1P45M12W2-1LA power module guarantees the optimal balance between energy losses and high switching frequency operation mode. This power module creates complex topologies with very high power densities and high-efficiency requirements. This power module AQG 324 qualified. The M1P45M12W2-1LA power module features six silicon carbide Power MOSFETs of 2^nd generation.