Pełnomostkowe moduły MOSFET SiC 1200 V

Moduły pełnomostkowe MOSFET GCMX 1200V SiC firmy SemiQ oferują niskie straty przełączania, niską rezystancję termiczną między złączem a obudową oraz bardzo wytrzymały i łatwy montaż. Moduły te pozwalają bezpośrednio umocować radiator (osobny pakiet) i oferują punkt odniesienia Kelvina zapewniający stabilną pracę. Wszystkie części zostały rygorystycznie przetestowane dla napięć powyżej 1350 V. Cechą charakterystyczną tych modułów jest solidne napięcie dren-źródło 1200 V. Moduły pełnomostkowe GCMX pracują w temperaturze złącza 175°C i są zgodne z dyrektywą RoHS. Typowe zastosowania obejmują falowniki fotowoltaiczne, ładowarki akumulatorów, systemy magazynowania energii oraz wysokonapięciowe przetwornice DC-DC.

Wyniki: 9
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Seria
Opakowanie
SemiQ MOSFET Modules SiC 1200V 40mohm MOSFET Full-Bridge Module
Karta charakterystyki
31Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 40

SiC Press Fit N-Channel 1.2 kV 53 A 38 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 175 C 208 W GCMX Reel, Cut Tape
SemiQ MOSFET Modules SiC 1200V 80mohm MOSFET Full-Bridge Module
Karta charakterystyki
35Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 40

SiC Press Fit N-Channel 1.2 kV 27 A 77 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 175 C 119 W GCMX Reel, Cut Tape
SemiQ MOSFET Modules 1200V, 10mohm SiC MOSFET Full Bridge Module
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Press Fit B3 N-Channel 4 Channel 1.2 kV 201 A 8.9 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V - 40 C + 150 C 600 W GCMX Bulk
SemiQ MOSFET Modules SiC 1200V 20mohm MOSFET Full-Bridge Module
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 40
Wielokr.: 40
Szpula: 40

SiC Screw Mount N-Channel 1.2 kV 102 A 18 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 175 C 333 W GCMX Reel
SemiQ MOSFET Modules 1200V, 20mohm SiC MOSFET Full Bridge Module
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
Min.: 40
Wielokr.: 40

SiC Press Fit B2 N-Channel 4 Channel 1.2 kV 102 A 28 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V - 40 C + 150 C 333 W GCMX Bulk
SemiQ MOSFET Modules SiC 1200V 20mohm MOSFET Full-Bridge Module
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 40
Wielokr.: 40
Szpula: 40

SiC Screw Mount N-Channel 1.2 kV 93 A 18.1 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 175 C 300 W GCMX Reel
SemiQ MOSFET Modules SiC 1200V 40mohm MOSFET Full-Bridge Module
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 40
Wielokr.: 40
Szpula: 40

SiC Screw Mount N-Channel 1.2 kV 56 A 38 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 175 C 217 W GCMX Reel
SemiQ MOSFET Modules 1200V, 40mohm SiC MOSFET Full Bridge Module
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
Min.: 40
Wielokr.: 40

SiC Press Fit B2 N-Channel 4 Channel 1.2 kV 56 A 52 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V - 40 C + 150 C 217 W GCMX Bulk
SemiQ MOSFET Modules 1200V, 80mohm SiC MOSFET Full Bridge Module
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
Min.: 40
Wielokr.: 40

SiC Press Fit B2 N-Channel 4 Channel 1.2 kV 27 A 100 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V - 40 C + 150 C 119 W GCMX Bulk