Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

NTTFS6H850NLTAG

Name: onsemi NTTFS6H850NLTAG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTTFS6H850NLTAG
Price: 5.38 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-NTTFS6H850NLTAG

Nr prod.:

NTTFS6H850NLTAG

Produc.:

onsemi

Opis:

MOSFETs 80V 108A 8.66m?Ohm Single N-Channel

Karta charakterystyki:

NTTFS6H850NLTAG Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi NTTFS6H850NLTAG

Na stanie magazynowym: 4 650

Stany magazynowe:: 4 650 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 24 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1500)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	5,38 zł	5,38 zł
	3,43 zł	34,30 zł
	2,36 zł	236,00 zł
	1,87 zł	935,00 zł
	1,84 zł	1 840,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1500)
	1,52 zł	2 280,00 zł
	1,40 zł	4 200,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	WDFN-8
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	80 V
Id – Ciągły prąd drenu:	64 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	8.6 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2 V
Qg – ładunek bramki:	26 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	73 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	onsemi
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	5 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	64.1 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	21 ns
Seria:	NTTFS6H850NL
Wielkość opakowania producenta:	1500
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	26 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	9 ns
Jednostka masy:	29,570 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

NTTFS6H850NLTAG Karta charakterystyki

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Trench8 MOSFETs

onsemi Trench8 MOSFETs feature low maximum ON-resistance (R_DS(ON), ultra-low gate charge (Q_g), and low (Q_g) x R_DS(ON), a key figure of merit (FOM) for MOSFETs used in power conversion applications. Featuring optimized switching performance based on T6 technology, the Trench8 MOSFETs offer a 35% to 40% reduction in Q_g and Q_oss from the Trench6 series. The onsemi Trench8 MOSFETs are available in a wide range of package types for design flexibility. AEC-Q101 Qualified and PPAP capable options are available for automotive applications. Many of these devices are offered in flank-wettable packages enabling automated optical inspection (AOI).

NTTFS6H850NL Single N-Channel Power MOSFET

onsemi NTTFS6H850NL Single N-Channel Power MOSFET offers a low drain-to-source ON-Resistance and low capacitance to minimize driver losses. The NTTFS6H850NL MOSFET features a small 3.3mm x 3.3mm footprint for compact and efficient designs and is Pb-free and RoHS compliant.