Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

STF10LN80K5

Name: STMicroelectronics STF10LN80K5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STF10LN80K5
Price: 14.11 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

511-STF10LN80K5

Nr prod.:

STF10LN80K5

Produc.:

STMicroelectronics

Opis:

MOSFETs N-channel 800 V, 0.55 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package

Dokończ swój projekt

Karta charakterystyki:

STF10LN80K5 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o STMicroelectronics STF10LN80K5

Na stanie magazynowym: 642

Stany magazynowe:: 642 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 18 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	14,11 zł	14,11 zł
	7,31 zł	73,10 zł
	6,47 zł	647,00 zł
	5,54 zł	2 770,00 zł
	4,91 zł	4 910,00 zł
	4,62 zł	9 240,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	STMicroelectronics
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-220-3
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	800 V
Id – Ciągły prąd drenu:	8 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	630 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 30 V, 30 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	3 V
Qg – ładunek bramki:	15 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	25 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	MDmesh
Marka:	STMicroelectronics
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	13 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	10 ns
Seria:	STF10LN80K5
Wielkość opakowania producenta:	1000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	28 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	11.8 ns
Jednostka masy:	2 g

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

STF10LN80K5 Karta charakterystyki (PDF)

PCN

Product Change Notification 2024-04-02 (PDF)

Kody zgodności

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Klasyfikacja pochodzenia

Kraj pochodzenia:: Chiny
Kraj montażu:: Niedostępne
Kraj wytworzenia:: Niedostępne

Kraj może ulec zmianie w momencie wysyłki.

STF10LN80K5 MDmesh™ Power MOSFET

STMicroelectronics STF10LN80K5 MDmesh™ Power MOSFET is designed using MDmesh™ K5 technology. This technology is based on an innovative proprietary vertical structure that reduces on-resistance and ultra-low gate charge for various applications. This STF10LN80K5 Power MOSFET has a built-in Zener diode that enhances the Electrostatic Discharge (ESD) performance of the device. The Zener voltage of the device eliminates the need for additional external componentry by facilitating cost-effective device integrity protection. The STF10LN80K5 Power MOSFET is ideal for switching applications.

MDmesh K5 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh K5 series are very-high voltage MOSFETs with super-junction, industry's best R_DS(on), and figure of merit for increased power density and efficiency. Typical applications include LED lighting, metering, solar inverters, 3-phase auxiliary power supplies, welding, and automotive battery management.