ART2K0 LDMOS RF Power Transistors

Ampleon ART2K0 LDMOS RF Power Transistors are based on Advanced Rugged Technology (ART) and designed to cover various ISM, broadcast, and communications applications. The unmatched 2000W LDMOS devices have a frequency range of 1MHz to 400MHz. Designed for broadband operation, the Ampleon ART2K0 transistors deliver high efficiency and excellent thermal stability/ruggedness with no device degradation.

Wyniki: 4
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Polaryzacja tranzystora
Technologia
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Rds On – rezystancja dren–źródło
Częstotliwość robocza
Wzmocnienie
Moc wyjściowa
Maksymalna temperatura robocza
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Opakowanie
Ampleon RF MOSFET Transistors ART2K0FES/SOT539/TRAY
Karta charakterystyki
511Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Dual N-Channel LDMOS 65 V 100 mOhms 1 MHz to 400 MHz 28.4 dB 2 kW + 225 C SMD/SMT SOT539BN-5 Tray
Ampleon RF MOSFET Transistors ART2K0FE/SOT539/TRAY
Karta charakterystyki
69Na stanie magazynowym
120Oczekiwane: 17.02.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Dual N-Channel LDMOS 65 V 100 mOhms 1 MHz to 400 MHz 28.4 dB 2 kW + 225 C Screw Mount SOT539AN-5 Tray
Ampleon RF MOSFET Transistors ART2K0FEG/SOT1248/REEL
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 100
Wielokr.: 100
Szpula: 100

Dual N-Channel LDMOS 65 V 100 mOhms 1 MHz to 400 MHz 28.4 dB 2 kW + 225 C SMD/SMT SOT1248C-5 Reel
Ampleon RF MOSFET Transistors ART2K0FES/SOT539/TRAY
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 100
Wielokr.: 100

Dual N-Channel LDMOS 65 V 100 mOhms 1 MHz to 400 MHz 28.4 dB 2 kW + 225 C SMD/SMT SOT539BN-5 Tray