NTHL015N065SC1

onsemi
863-NTHL015N065SC1
NTHL015N065SC1

Produc.:

Opis:
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V

Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.
Więcej informacji
Dowiedz się więcej o onsemi NTHL015N065SC1

Na stanie magazynowym: 8

Stany magazynowe:
8
Wysylamy natychmiast
Dostępna ilość z otwartych zamówień:
900
Oczekiwane: 26.06.2026
Średni czas produkcji:
20
tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
100,38 zł 100,38 zł
72,41 zł 724,10 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
onsemi
Kategoria produktów: Moduły MOSFET SIC
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
163 A
18 mOhms
- 8 V, + 22 V
4.3 V
283 nC
- 55 C
+ 175 C
643 W
Enhancement
EliteSiC
Marka: onsemi
Konfiguracja: Single
Kraj montażu: Not Available
Kraj wytworzenia: Not Available
Kraj pochodzenia: CN
Czas zanikania: 11 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.: 44 S
Opakowanie: Tube
Rodzaj produktu: SiC MOSFETS
Czas narastania: 77 ns
Seria: NTHL015N065SC1
Wielkość opakowania producenta: 450
Podkategoria: Transistors
Technologia: SiC
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 47 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 25 ns
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Karta charakterystyki

PCN

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

650V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi 650V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs provide superior switching performance and higher reliability compared to Silicon (Si). These 650V SiC MOSFETs have low ON resistance and a compact chip size to ensure low capacitance and gate charge. Benefits include high efficiency, fast operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.

NTHL015N065SC1 12mohm Silicon Carbide MOSFETs

onsemi NTHL015N065SC1 12mohm Silicon Carbide MOSFETs are housed in a TO-247-3L package and designed to be fast and rugged. The onsemi NTHL015N065SC1 devices offer a 10x higher dielectric breakdown field strength and 2x higher electron saturation velocity. The MOSFETs also offer a 3x higher energy band gap and 3x higher thermal conductivity. All onsemi SiC MOSFETs include AEC-Q101 qualified and PPAP-capable options specifically engineered and qualified for automotive and industrial applications.

M2 EliteSiC MOSFETs

onsemi M2 EliteSiC MOSFETs feature voltage options of 650V, 750V, and 1200V. The onsemi M2 MOSFETs come in various packages, including D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD, and TO-247-4LD. The MOSFETs provide flexibility in design and implementation. Additionally, the M2 EliteSiC MOSFETs boast a maximum gate-to-source voltage of +22V/-8V, low RDS(on), and high short circuit withstand time (SCWT).

Wystąpił nieoczekiwany błąd.


Jakieś pytania? Proszę odwiedzić Centrum Pomocy.
W przypadku pytań dotyczących konkretnego zamówienia, proszę zalogować się na swoje konto.

Jeśli pojawią się dalsze problemy, proszę skontaktować się z nami pod numerem 800-346-6873 lub wysłać wiadomość e-mail na adres help@mouser.com.