Wyniki: 4
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Opakowanie

Vishay Semiconductors MOSFETs 45V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8 3 287Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 45 V 208 A 1.2 mOhms - 16 V, 20 V 1.1 V 167 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFETs N-CHANNEL 650V Niedostępne na stanie
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si

Vishay Semiconductors MOSFETs N-CHANNEL 650V Niedostępne na stanie
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel
Vishay Semiconductors MOSFETs N-CHANNEL 600V Niedostępne na stanie
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel