Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

IXFN110N85X

Name: IXYS IXFN110N85X
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN110N85X
Price: 268.75 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

747-IXFN110N85X

Nr prod.:

IXFN110N85X

Produc.:

IXYS

Opis:

MOSFET Modules 850V X-Class HiPerFE Power MOSFET

Karta charakterystyki:

IXFN110N85X Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o IXYS IXFN110N85X

Na stanie magazynowym: 158

Stany magazynowe:: 158 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 27 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	268,75 zł	268,75 zł
	251,51 zł	2 515,10 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	IXYS
Kategoria produktów:	Moduły MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	Screw Mount
Opakowanie/obudowa:	SOT-227-4
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	850 V
Id – Ciągły prąd drenu:	110 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	33 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 30 V, + 30 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	3.5 V
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	1.17 kW
Seria:	HiPerFET
Opakowanie:	Tube
Marka:	IXYS
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	11 ns
Rodzaj produktu:	MOSFET Modules
Czas narastania:	25 ns
Wielkość opakowania producenta:	10
Podkategoria:	Discrete and Power Modules
Nazwa handlowa:	HiPerFET
Rodzaj:	HiperFET
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	144 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	50 ns
Jednostka masy:	30 g

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

IXFN110N85X Karta charakterystyki

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

850V X-Class Power MOSFETs

IXYS 850V X-Class Power MOSFETs with HiPerFET™ body diodes are rugged devices with current ratings up to 110A, which enables a very high power density in high voltage power conversion applications. These 850V devices have very low on-state resistances (33mΩ in the SOT-227 package), along with low gate charges and superior dv/dt performance.

Ultra Junction MOSFETs

IXYS Ultra Junction MOSFETs feature low R_DS(on) and low Q_g in low inductance industry standard packages. These devices enable high power density, easy mounting, and space-saving opportunities. IXYS Ultra Junction MOSFETs are ideal solutions in SMPS, DC-DC converters, PFC circuits, AC and DC motor drives, and robotics/servo controls.

Electrical Vehicle DC Fast Chargers

DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.

Rozwiązania do ładowania pojazdów elektrycznych

Rozwiązania do ładowania pojazdów elektrycznych (EV) firmy Littelfuse Electric Vehicle umożliwiają projektantom wybór idealnego rozwiązania zapewniającego funkcjonalność i bezpieczeństwo ich ładowarek EV. Zewnętrzne stacje ładowania EV pracują w trudnych warunkach, w których występują ekstremalnie wysokie i niskie temperatury, opady deszczu, śniegu i wyładowania atmosferyczne. Produkty Littelfuse chronią przed tymi zagrożeniami, minimalizując ryzyko wystąpienia usterek.

X-Class 850V - 1000V Power MOSFETs with HiPerFET™

IXYS X-Class 850V-1000V Power MOSFETs with HiPerFET™ with fast body diodes are rugged devices that display the lowest on-state resistances in the industry. This enables a very high power density in high-voltage power conversion applications. Developed using the charge compensation principle and proprietary process technology, these devices exhibit low gate charges and superior dv/dt performance. In addition, thanks to the fast soft-recovery body diode, these ultra-junction MOSFETs help reduce switching losses and Electromagnetic Interference (EMI).

X-Class Power MOSFETs

IXYS X-Class Power MOSFETs are high-power density N-Channel Enhancement Mode MOSFETs. They are easy to mount and have a low R_DS(ON) and Q_Gwith a low package inductance. Typical applications include switch-mode and resonant-mode power supplies, DC-DC converters and PFC circuits.

Off-Highway Electric Vehicle Solutions

Littelfuse provides a wide range of solutions for off-highway electric vehicles. These electric vehicles share a similar architecture and have a power range from 48V to 400V. Off-highway electric vehicles include electric forklifts, golf carts, three-wheelers, tow tractors, compactors, and excavators.