Wszystkie wyniki (11)

Wybierz kategorię poniżej, aby zobaczyć opcje filtrowania i zawęzić kryteria wyszukiwania.
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS
Karta charakterystyki
389Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

ROHM Semiconductor SiC MOSFETs N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS
Karta charakterystyki
1 137Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

ROHM Semiconductor SiC MOSFETs N-Ch 650V SiC 70A 30mOhm TrenchMOS
Karta charakterystyki
110Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS
Karta charakterystyki
685Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

ROHM Semiconductor SiC MOSFETs N-Ch 1200V SiC 55A 40mOhm TrenchMOS
Karta charakterystyki
149Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

ROHM Semiconductor SiC MOSFETs N-Ch 650V 30A Silicon Carbide SiC
Karta charakterystyki
902Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

ROHM Semiconductor SiC MOSFETs N-Ch 650V SiC 39A 60mOhm TrenchMOS
Karta charakterystyki
60Na stanie magazynowym
1 350Oczekiwane: 28.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs N-Ch 650V SiC 21A 120mOhm TrenchMOS
Karta charakterystyki
28Na stanie magazynowym
450Oczekiwane: 06.07.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs N-Ch 1200V SiC 17A 160mOhm TrenchMOS
Karta charakterystyki
24Na stanie magazynowym
3 150Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

ROHM Semiconductor SiC MOSFETs 1700V 3.7A N-MOSFET Silicon Carbide SiC
Karta charakterystyki
1 190Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

ROHM Semiconductor Power Management IC Development Tools Evaluation Board for BD7682FJ-LBE2
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1