DMTx MOSFETs

Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are N-channel enhancement mode MOSFETs with low on-resistance and fast switching. These MOSFETs are also designed to meet the stringent requirements of automotive applications. Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are ideal for high-efficiency power management applications.

Wyniki: 250
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Kwalifikacje Nazwa handlowa Opakowanie
Diodes Incorporated MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 80V 20Vgss 80A 25 000Dostępne z magazynu fabrycznego
Min.: 2 500
Wielokr.: 2 500
Szpula: 2 500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 80 V 10 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 34 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement Reel
Diodes Incorporated DMTH6016LFVW-7
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V 86 000Dostępne z magazynu fabrycznego
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 000

Si Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
Szpula: 3 000
Si PowerDI3333-8 Reel
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 000

Si PowerDI3333-8 Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT V-DFN3030-K-8 Reel
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 Reel
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-220-3 Tube
Diodes Incorporated MOSFETs 60V N-Ch Enh FET Low Rdson Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 Reel
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 24 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
Szpula: 3 000
Si V-DFN3333-8 Reel
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 10K Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 24 tygodni
Min.: 10 000
Wielokr.: 10 000
Szpula: 10 000

Si SMD/SMT U-DFN2020-6 N-Channel 1 Channel 100 V 4 A 62 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 5.1 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement Reel
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 24 tygodni
Min.: 10 000
Wielokr.: 10 000
Szpula: 10 000
Si SMD/SMT U-DFN2020-F-6 Reel
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 24 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 24 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 24 V 70 A 5 mOhms - 12 V, 12 V 550 mV 29.6 nC - 55 C + 150 C 2.3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V Niedostępne na stanie
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 2 Channel 24 V 50 A 7 mOhms - 12 V, 12 V 500 mV 46.7 nC - 55 C + 150 C 1.9 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V Niedostępne na stanie
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 000
Si PowerDI3333-8 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFETs 30V N-Ch Enh FET Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 24 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFETs 30V N-Ch Enh FET 20Vgs 0.5W 70A Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 24 tygodni
Min.: 10 000
Wielokr.: 10 000
Szpula: 10 000

Si SMD/SMT U-DFN2020-F-6 N-Channel 1 Channel Reel
Diodes Incorporated MOSFETs 30V N-Ch Enh FET 20Vgs 0.5W 70A Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 24 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT U-DFN2020-F-6 N-Channel 1 Channel 30 V 12 A 10 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 14 nC - 55 C + 150 C 800 mW Enhancement Reel
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 24 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
Szpula: 3 000
Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 5 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 12 nC - 55 C + 150 C 2.3 W Enhancement Reel
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 24 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 12 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 12 nC - 55 C + 150 C 2.3 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 3K Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 24 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 17 A 22 mOhms - 12 V, 12 V 1.8 V 13.9 nC 1.8 W Enhancement Reel
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 2K Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 28 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 000
Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 17 A 22 mOhms - 12 V, 12 V 1.8 V 13.9 nC 1.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 24 tygodni
Min.: 2 500
Wielokr.: 2 500
Szpula: 2 500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 30 V 30 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 90 nC - 55 C + 150 C 2.4 W Enhancement Reel
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V 46 000Dostępne z magazynu fabrycznego
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 3.65 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 95.4 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement Tube
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 24 tygodni
Min.: 10 000
Wielokr.: 10 000
Szpula: 10 000

Si SMD/SMT U-DFN2020-6 N-Channel 1 Channel 60 V 9.5 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 13.6 nC - 55 C + 150 C 1.9 W Enhancement Reel