Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

NVMFS4C306NT1G

Name: onsemi NVMFS4C306NT1G
Brand: onsemi
SKU: 698-NVMFS4C306NT1G
Price: 9.58 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

698-NVMFS4C306NT1G

Nr prod.:

NVMFS4C306NT1G

Produc.:

onsemi

Opis:

MOSFETs TRENCH 30V NCH

Cykl życia:

NRND:

Niezalecane dla nowych projektów.

Karta charakterystyki:

NVMFS4C306NT1G Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi NVMFS4C306NT1G

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	SO-8FL-4
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	30 V
Id – Ciągły prąd drenu:	20.6 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	4.8 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2.1 V
Qg – ładunek bramki:	11.6 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	3 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	onsemi
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	3 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	58 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	28 ns
Seria:	NVMFS4C306N
Wielkość opakowania producenta:	1500
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	24 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	8 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

NVMFS4C306NT1G Karta charakterystyki

PCN

Material Composition Disclosure

Kody zgodności

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Klasyfikacja pochodzenia

Kraj pochodzenia:: Malezja
Kraj montażu:: Malezja
Kraj wytworzenia:: Japonia

Kraj może ulec zmianie w momencie wysyłki.

NVMFS4C306N Power MOSFETs

onsemi NVMFS4C306N Power MOSFETs offer 30V drain-to-source voltage, 3.4mΩ R_DS(ON), and 71A continuous drain current. The automotive power MOSFET is available in a 5mm x 6mm flat lead SO8-FL package developed for compact and efficient designs.

WYRÓŻNIONE PRODUKTY

ONSEMI

NVNJWS1K6N061L N-Channel MOSFET

Features low R_DS(on) and low gate threshold with integrated ESD protection.

Dowiedz się więcej

NVBYST0D8N08X Single N-Channel Power MOSFET

Optimized for high‑voltage operation and withstands fast switching and high-current stresses.

Dowiedz się więcej

NTMFD0D9N02P1E MOSFET

Dual N-channel MOSFET designed with low R_g for fast switching applications.

Dowiedz się więcej

NVMFD5873NL Dual N-Channel Power MOSFETs

Designed for compact and efficient designs, including high thermal performance.

Dowiedz się więcej

NVBYST0D6N08X 80V N-Channel Power MOSFET

This device offers a low Q_RR and soft recovery body diode in a TCPAK1012 (TopCool) package.

Dowiedz się więcej

Na stanie magazynowym: 1 425

Stany magazynowe:: 1 425 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 31 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	9,58 zł	9,58 zł
	6,17 zł	61,70 zł
	4,24 zł	424,00 zł
	3,37 zł	1 685,00 zł
	3,24 zł	3 240,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1500)
	2,94 zł	4 410,00 zł

NVMFS4C306NT1G

Produc.: onsemi

Opis: MOSFETs TRENCH 30V NCH

Specyfikacja

Dokumenty (3)

Karta charakterystyki

PCN

Dokumenty dotyczące środowiska

Zgodność ze standardami produktowymi i przepisami handlu

Więcej informacji

NVMFS4C306N Power MOSFETs

WYRÓŻNIONE PRODUKTY ONSEMI

Na stanie magazynowym: 1 425

Cennik (PLN)

QuickView (Szybki podgląd)

Wystąpił nieoczekiwany błąd.

Produc.:

onsemi

Opis:

MOSFETs TRENCH 30V NCH

WYRÓŻNIONE PRODUKTY

ONSEMI