Moduły hybrydowe NXH450B100H4Q2 Si/SiC

Moduły hybrydowe Si/SIC NXH450B100H4Q2 firmy Onsemi zawierają dwa tranzystory IGBT 1000 V, 150 A, dwie diody SIC 1200 V, 30 A i dwie diody bocznikujące 1600 V, 30 A oraz termistor NTC. Te hybrydowe moduły Si/SiC charakteryzują się niskimi stratami podczas przełączania, zmniejszonym rozproszeniem mocy, ułożeniem zapewniającym niską indukcyjność i dostępne są w wersji na wcisk i z końcówkami do wlutowywania. Moduły hybrydowe NXH450B100H4Q2 oferują temperatury przechowywania w zakresie od -40°C do 125°C i temperatury pracy w zakresie od -40°C do 125°C w warunkach przełączania. Te hybrydowe moduły Si/SiC idealnie nadają się do zastosowania w falownikach fotowoltaicznych i zasilaczach bezprzerwowych.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Produkt Konfiguracja Max. napięcie kolektor-emiter VCEO Napięcie nasycenia kolektor-emiter Ciągły prąd kolektora przy 25°C Prąd upływowy bramka–emiter Pd – strata mocy Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Opakowanie
onsemi NXH450B100H4Q2F2PG
onsemi IGBT Modules 1000V75A FSIII IGBT MID SPEED WITH RUGGED ANTI-PARALLEL DIODES IN PRESS FIT PINS 36Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC IGBT Modules Dual 1 kV 1.7 V 101 A 800 nA 234 W - 40 C + 150 C Tray
onsemi NXH450B100H4Q2F2SG
onsemi IGBT Modules 1000V75A FSIII IGBT MID SPEED WITH SOLDER PINS 36Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
SiC IGBT Modules Dual 1 kV 1.7 V 101 A 800 nA 234 W - 40 C + 150 C Tray