RH6 N-Channel Power MOSFETs

ROHM Semiconductor RH6 N-Channel Power MOSFETs offer low on-resistance in a small, high-power, 8-pin, surface mount molded package (HSMT-8). The RH6 MOSFETs feature a 59W power dissipation and a -55°C to +150°C operating temperature range. The RH6 N-Channel Power MOSFETs are designed for switching applications.

Wyniki: 9
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Opakowanie
ROHM Semiconductor MOSFETs HSMT8 N-CH 40V 135A
Karta charakterystyki
2 400Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 1 Channel 40 V 135 A 2.4 mOhms 20 V 2.5 V 30 nC - 55 C + 175 C 93 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs HSMT8 N-CH 150V 40A
Karta charakterystyki
2 392Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 1 Channel 150 V 40 A 38 mOhms 20 V 4 V 11.3 nC - 55 C + 175 C 93 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs HSMT8 N-CH 40V 135A
Karta charakterystyki
3 000Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 1 Channel 40 V 135 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 32 nC - 55 C + 175 C 93 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 80V(Vdss), 4.0A(Id), (6.0V, 10V Drive)
Karta charakterystyki
2 960Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 1 Channel 80 V 65 A 8.3 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 23 nC - 55 C + 150 C 59 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs Nch 30V 125A, HSMT8, Power MOSFET
Karta charakterystyki
2 980Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 1 Channel 30 V 125 A 2.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 30 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs HSMT8 100V 40A N-CH MOSFET
Karta charakterystyki
4 987Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 1 Channel 100 V 40 A 15.6 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 16.7 nC - 55 C + 150 C 59 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor MOSFETs HSMT8 150V 25A N-CH
Karta charakterystyki
5 859Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 1 Channel 150 V 25 A 60 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 16.7 nC - 55 C + 150 C 59 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs HSMT8 N-CH 60V 65A
Karta charakterystyki
1 161Na stanie magazynowym
3 000Oczekiwane: 03.09.2026
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 1 Channel 60 V 65 A 7.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 18.8 nC - 55 C + 150 C 59 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor MOSFETs HSMT8 N-CH 40V 95A
Karta charakterystyki
5 985Oczekiwane: 19.06.2026
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 1 Channel 40 V 95 A 3.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 25 nC - 55 C + 150 C 59 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel