RBRxx40ANZ Low VF Schottky Barrier Diodes

ROHM Semiconductor RBRxx40ANZ Schottky Barrier Diodes are cathode common dual type low VF diodes for general rectification. These diodes are manufactured using silicon epitaxial planar type construction and come in a TO-220FN package. The ROHM Semiconductor RBRxx40ANZ barrier diodes offer high reliability and are ideally suitable for switching power supplies and general rectification.

Wyniki: 3
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Produkt
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Konfiguracja
Technologia
If – prąd przewodzenia diody
Vrrm – powtarzajace się napięcie wsteczne
Vf – Napięcie przewodzenia
Ifsm – prąd udarowy przewodzenia
Ir – Prąd wsteczny
Maksymalna temperatura robocza
Opakowanie
ROHM Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers Schottky Barrier Diode Low VF, 40V, 30A, ITO-220AB
Karta charakterystyki
5Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Schottky Diodes Through Hole TO-220FN-3 Dual Anode Common Cathode Si 30 A 40 V 620 mV 100 A 360 uA + 150 C Tube
ROHM Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers Schottky Barrier Diode Low VF, 40V, 20A, ITO-220AB
Karta charakterystyki
899Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Schottky Diodes Through Hole TO-220FN-3 Dual Anode Common Cathode Si 20 A 40 V 620 mV 100 A 240 uA + 150 C Tube
ROHM Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers Schottky Barrier Diode Low VF, 40V, 10A, ITO-220AB
Karta charakterystyki
863Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Schottky Diodes Through Hole TO-220FN-3 Dual Anode Common Cathode Si 10 A 40 V 620 mV 50 A 120 uA + 150 C Tube