Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

SIRA20DP-T1-RE3

Name: Vishay SIRA20DP-T1-RE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SIRA20DP-T1-RE3
Price: 7.83 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

78-SIRA20DP-T1-RE3

Nr prod.:

SIRA20DP-T1-RE3

Produc.:

Vishay Semiconductors

Opis:

MOSFETs 25V Vds 16V Vgs PowerPAK SO-8

Karta charakterystyki:

SIRA20DP-T1-RE3 Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Vishay Semiconductors SIRA20DP-T1-RE3

Na stanie magazynowym: 1 543

Stany magazynowe:: 1 543 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	7,83 zł	7,83 zł
	5,03 zł	50,30 zł
	3,39 zł	339,00 zł
	3,24 zł	1 620,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	3,24 zł	9 720,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Vishay
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	PowerPAK-SO-8
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	25 V
Id – Ciągły prąd drenu:	100 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	580 uOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 12 V, 16 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	1 V
Qg – ładunek bramki:	200 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	104 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	TrenchFET, PowerPAK
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	Vishay Semiconductors
Konfiguracja:	Single
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Seria:	SIR
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Jednostka masy:	506,600 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

SIRA20DP-T1-RE3 Karta charakterystyki

Application Notes

Models

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

SiRA20DP N-Channel 25V MOSFET

Vishay SiRA20DP N-Channel 25V MOSFET features an optimized total gate charge (Q_g), gate-drain charge (Q_gd), and Q_gd/gate-source charge (Q_gs) ratio that reduces switching-related power loss. This TrenchFET® Gen IV device is 100% R_g and UIS tested. Typical applications for Vishay SiRA20DP N-Channel 25V MOSFET include synchronous rectification, high power density DC/DC, synchronous buck converter, OR-ing, load switching, and battery management.

Industrial Power Solutions

Vishay Industrial Power Solutions feature a broad selection of semiconductor and passive components for industrial power supply applications. These products offer access to advanced technology and reliable components essential for creating robust, durable, and efficient industrial products. The Vishay product portfolio for industrial power supplies includes power MOSFETs, power ICs, rectifiers, diodes, capacitors, resistors, and inductors.

TrenchFET® Gen IV MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET^® Gen IV MOSFETs offer industry-low on-resistance and low total gate charge in the PowerPAK^® SO-8 and 1212-8S packages. These TrenchFET Gen IV MOSFETs feature extremely low R_DS(on) that translates to lower conduction losses for reduced power consumption. The TrenchFET MOSFETs also come with space-saving PowerPAK^® 1212-8 packages with similar efficiency with a third of its size. Typical applications include high-power DC/DC converters, synchronous rectification, solar micro-inverters, and motor drive switches.