Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

STP80N600K6

Name: STMicroelectronics STP80N600K6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP80N600K6
Price: 12.67 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

511-STP80N600K6

Nr prod.:

STP80N600K6

Produc.:

STMicroelectronics

Opis:

MOSFETs N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET

Dokończ swój projekt

Karta charakterystyki:

STP80N600K6 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o STMicroelectronics STP80N600K6

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	STMicroelectronics
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-220-3
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	800 V
Id – Ciągły prąd drenu:	7 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	600 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	30 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4 V
Qg – ładunek bramki:	10.7 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	86 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Tube
Marka:	STMicroelectronics
Czas zanikania:	12.6 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	4.1 ns
Wielkość opakowania producenta:	50
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	28.2 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	9 ns
Jednostka masy:	2 g

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

STP80N600K6 Karta charakterystyki (PDF)

PCN

SPICE Models

STP80N600K6 (Kompresowanie Zip)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

Kody zgodności

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Klasyfikacja pochodzenia

Kraj pochodzenia:: Chiny
Kraj montażu:: Niedostępne
Kraj wytworzenia:: Niedostępne

Kraj może ulec zmianie w momencie wysyłki.

N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs

STMicroelectronics N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs are Zener-protected and 100% avalanche-tested. These power MOSFETs feature 800V minimum drain-source breakdown voltage, ±30V gate-source voltage, and -55°C to 150°C operating junction temperature range. The MDmesh K6 Power MOSFETs also feature 5V/ns peak diode recovery voltage slope, 100A/µs peak diode recovery current slope, and 120V/ns MOSFET dv/dt ruggedness. Typical applications include notebook and AIO, flyback converters, adapters for tablets, and LED lighting.

STP80N600K6 MDmesh K6 Power MOSFET

STMicroelectronics STP80N600K6 MDmesh K6 Power MOSFET offers a very high voltage, N-channel power solution utilizing the ultimate MDmesh K6 technology. This K6 technology is based on 20 years of STMicroelectronics experience in super junction technology. The result of this technology allows the STMicro STP80N600K6 to feature best-in-class on-resistance per area and gate charge for applications demanding superior power density and high efficiency.

WYRÓŻNIONE PRODUKTY

STMICROELECTRONICS

STH4N150-2AG N-Channel Power MOSFET

Designed to ensure a high level of voltage and robustness for the automotive applications.

Dowiedz się więcej

STL059N4S8AG Power MOSFET

A 40V N-channel enhancement mode Power MOSFET designed in Smart STripFET F8 technology.

Dowiedz się więcej

N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs

800V, Zener-protected, 100% avalanche tested, and ideal for flyback converters and LED lighting.

Dowiedz się więcej

STripFET F8 N-Channel Power MOSFETs

AEC-Q101 qualified and offers a comprehensive package solution from 30V to 150V.

Dowiedz się więcej

STP80N1K1K6 N-Channel Power MOSFET

Uses MDmesh K6 technology, leveraging 20 years of experience in super junction technology.

Dowiedz się więcej

Na stanie magazynowym: 698

Stany magazynowe:: 698 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 34 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	12,67 zł	12,67 zł
	7,44 zł	74,40 zł
	5,72 zł	572,00 zł
	4,71 zł	2 355,00 zł
	4,49 zł	4 490,00 zł
	4,24 zł	21 200,00 zł

STP80N600K6

Udostępnij to

Produc.: STMicroelectronics

Opis: MOSFETs N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET Dokończ swój projekt

Specyfikacja

Dokumenty (6)

Karta charakterystyki

PCN

SPICE Models

Dokumenty dotyczące środowiska

Zgodność ze standardami produktowymi i przepisami handlu

Więcej informacji

N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs

STP80N600K6 MDmesh K6 Power MOSFET

Pozostali klienci kupili również

WYRÓŻNIONE PRODUKTY STMICROELECTRONICS

Na stanie magazynowym: 698

Cennik (PLN)

QuickView (Szybki podgląd)

Wystąpił nieoczekiwany błąd.

Produc.:

STMicroelectronics

Opis:

MOSFETs N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET

Dokończ swój projekt

WYRÓŻNIONE PRODUKTY

STMICROELECTRONICS