CSD22206W P-Channel NexFET Power MOSFETs

Texas Instruments CSD22206W P-Channel NexFET Power MOSFETs is a –8V, 4.7mΩ, 1.5mm×1.5mm device that is designed to deliver low on-resistance and gate charge in a small package. The device provides the smallest outline possible with excellent thermal characteristics. The low on-resistance coupled with the small footprint and low profile make the device ideal for battery-operated space-constrained applications.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Nazwa handlowa
Opakowanie
Texas Instruments MOSFETs -8V P channel NexFE T power MOSFET sin A A 595-CSD22206WT
Karta charakterystyki
1 140Na stanie magazynowym
3 000Oczekiwane: 19.02.2026
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT DSBGA-9 P-Channel 1 Channel 8 V 5 A 9.1 mOhms - 6 V, 6 V 1.05 V 14.6 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments MOSFETs -8V P channel NexFE T power MOSFET sin A A 595-CSD22206W
Karta charakterystyki
123Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 250

Si SMD/SMT DSBGA-9 P-Channel 1 Channel 8 V 2 A 9.1 mOhms - 6 V, 6 V 700 mV 14.6 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel